Теми рефератів
Авіація та космонавтика Банківська справа Безпека життєдіяльності Біографії Біологія Біологія і хімія Біржова справа Ботаніка та сільське гос-во Бухгалтерський облік і аудит Військова кафедра Географія
Геодезія Геологія Держава та право Журналістика Видавнича справа та поліграфія Іноземна мова Інформатика Інформатика, програмування Історія Історія техніки Комунікації і зв'язок Краєзнавство та етнографія Короткий зміст творів Кулінарія Культура та мистецтво Культурологія Зарубіжна література Російська мова Маркетинг Математика Медицина, здоров'я Медичні науки Міжнародні відносини Менеджмент Москвоведение Музика Податки, оподаткування Наука і техніка Решта реферати Педагогіка Політологія Право Право, юриспруденція Промисловість, виробництво Психологія Педагогіка Радіоелектроніка Реклама Релігія і міфологія Сексологія Соціологія Будівництво Митна система Технологія Транспорт Фізика Фізкультура і спорт Філософія Фінансові науки Хімія Екологія Економіка Економіко-математичне моделювання Етика Юриспруденція Мовознавство Мовознавство, філологія Контакти
Українські реферати та твори » Коммуникации и связь » Низькочастотний підсилювач напруги

Реферат Низькочастотний підсилювач напруги

Розрахунок елементів підсилювача напруги низької частоти

Амплітуда вхідного сигналу 1 мВ

Опір генератора вхідного сигналу 5 кОм

Амплітуда вихідного сигналу 5 В

Опір навантаження 3 кОм

Нижня межа посилення 50 Гц

Верхня межа посилення 15000 Гц

Коефіцієнт частотних спотворень 1,4

Напруга харчування 15 Вё 20 В

Коефіцієнт посилення:

Отримати такий коефіцієнт підсилення на одному каскаді неможливо, тому необхідний підсилювач реалізуємо послідовним включенням підсилювальних каскадів на основі транзисторів pnp структури, включених по схемі з ОЕ. При цьому перерозподіл посилення буде наступним: 1 каскад - 100, 2 каскад - 50.

Вибір транзистора КТ3107Е

Найменування Позначення Значення Min. Max. Статичний коеф. передачі струму 120 220 Гранична частота коефіцієнта передачі струму

200 Мгц

Напруга насичення база - емітер

0.8 В 1 У

Напруга насичення база - емітер

0.2 В 0.8 В

Ємність колекторного переходу, при U кб = 10 В

7 пФ

Максимально допустимі параметри

Найменування Позначення Значення Постійна напруга колектор - база

U кб max

25 В Постійна напруга колектор - емітер

U ке max

20 В Постійний струм колектора Ік max 100 мА Постійне розсіює потужність колектора Pк max 300 мВт


Виберемо напруга живлення підсилювача:.

Розрахунок підсилювального каскаду на транзисторі структури pnp, включеного за схемою з ОЕ по постійному струму (2-й каскад).

З графіка сімейства характеристик (див. рис. 2) виберемо робочу точку:

Т.к. R9 - (опір навантаження) дорівнює 3 кОм, то R7 визначається формулою:


R7 = 7.5 кОм

Знаходимо струм колектора 2-го транзистора:

I К = 0.93 mA

Знаходимо струм бази 2-го транзистора:

I Б = 7.75 * 10 -3 mA

Знаходимо струм емітера 2-го транзистора:

I Е = 0.938 mA

Задамо U Е = 1V

R8 = 1.07 кОм. Знаходимо напруга бази 2-го транзистора:


U б = 1.7 V

Знайдемо струм через R Б

I = 38.75 * 10 -3 mA

R6 = 43.9 кОм

R5 = 343.7 кОм

Розрахунок підсилювального каскаду на транзисторі структури pnp, включеного за схемою з ОЕ по постійному струму (1-й каскад).

Знайдемо R н (навантаження)

R Н = 38.9 кОм


Звідси знайдемо R3

R3 = 13.46 кОм

Виберемо робочу точку.

Знаходимо струм колектора 1-го транзистора:

I К = 0.52 mA

Знаходимо струм бази 1-го транзистора:

I К = 4.3 * 10 -3 mA

Знаходимо струм емітера 2-го транзистора:

I Е = 0.524 mA

Задамо U Е = 1V

R3 = 1.91 кОм

Знаходимо напруга бази 2-го транзистора:


U б = 1.7 V

Знайдемо струм через R Б

I = 21.5 * 10 -3 mA

R2 = 79.1 кОм

R1 = 325.6 кОм

Розрахунок ємностей

Коефіцієнт передачі 1-й ланцюжки:

Звідси С1

С1 = 19.5 нФ


С2 = 31.9 нФ

С3 = 12.4 мкФ

С4 = 0.4 мкФ

С5 = 12.4 nF


Література

1. Ю.С. Забродін В«Промислова електроніка В», М.: изд-во Вища школа, 1982 р.

2. В.Г. Гусєв, Ю.М. Гусєв В«ЕлектронікаВ», М.: изд-во Вища школа, 1991 р.

3. Довідник В«Транзистори для апаратури широкого застосування В», під ред. Б.Л. Перельман, М.: Радіо і зв'язок, 1981 р.

4. Дж. Фішер, Х.Б. Гетланд В«Електроніка: від теорії до практикиВ», пров. з анг. А.Н. Мошкова, М.: Енергія 1980

5. І.П. Степаненко В«Основи теорії транзисторів і транзисторних схемВ»



Друкувати реферат
Замовити реферат
Товары
загрузка...
Наверх Зворотнiй зв'язок