Теми рефератів
Авіація та космонавтика Банківська справа Безпека життєдіяльності Біографії Біологія Біологія і хімія Біржова справа Ботаніка та сільське гос-во Бухгалтерський облік і аудит Військова кафедра Географія
Геодезія Геологія Держава та право Журналістика Видавнича справа та поліграфія Іноземна мова Інформатика Інформатика, програмування Історія Історія техніки
Комунікації і зв'язок Краєзнавство та етнографія Короткий зміст творів Кулінарія Культура та мистецтво Культурологія Зарубіжна література Російська мова Маркетинг Математика Медицина, здоров'я Медичні науки Міжнародні відносини Менеджмент Москвоведение Музика Податки, оподаткування Наука і техніка Решта реферати Педагогіка Політологія Право Право, юриспруденція Промисловість, виробництво Психологія Педагогіка Радіоелектроніка Реклама Релігія і міфологія Сексологія Соціологія Будівництво Митна система Технологія Транспорт Фізика Фізкультура і спорт Філософія Фінансові науки Хімія Екологія Економіка Економіко-математичне моделювання Етика Юриспруденція Мовознавство Мовознавство, філологія Контакти
Українські реферати та твори » Физика » Дослідження фотоелектричних властивостей напівпровідникових матеріалів

Реферат Дослідження фотоелектричних властивостей напівпровідникових матеріалів

Категория: Физика

Федеральне агентствоза освітою РФ

Санкт-ПетербурзькийДержавний Електротехнічний Університет В«ЛЕТІВ»

Кафедра мікроелектроніки

Звіт полабораторній роботі № 3

Дослідженняфотоелектричних властивостей напівпровідникових матеріалів

Санкт-Петербург

2005


Введення

Дослідженняфотоелектричних властивостей напівпровідників здійснюється за допомогою монохроматора,схема якого представлена ​​на малюнку. Світловий потік від галогенною лампи E,живиться від джерела G, через щілину монохроматора F, ширина якоїрегулюється мікрометричним гвинтом, надходить на диспергуючу пристрій P.

Схема для дослідженняфотоелектричних властивостей напівпровідників

Це пристрійявляє собою призму, повертаючи яку за допомогою барабана, можнависвітлювати ФP світлом певної довжини хвилі. нихвилі. На виході монохроматора встановлені досліджувані зразки (R) напівпровідника 1 і 2. Змінапровідності фіксується за допомогою цифрового омметра PR.

У даній роботідослідження фотоелектричних властивостей напівпровідників проводиться на прикладіматеріалів, що застосовуються в промислових фоторезисторах. на основі сульфідукадмію (CdS) і селеніду кадмію (CdSe), що володіють високоючутливістю до випромінювання видимого діапазону спектру


1. Дослідженняспектральної залежності фотопровідності

Експериментальнірезультати для 1-ого зразка

Розподіл по барабану l, мкм

Еl,

ум. од.

RС, МОм gс, мкСм gф, мкСм

gф ',

ум. од.

gф '/ gф' max, о. тобто 500 0,475 0,14 3,950 0,253 0,153 1,094 0,017 600 0,476 0,141 4,000 0,250 0,150 1,064 0,016 700 0,477 0,143 3,900 0,256 0,156 1,094 0,017 800 0,478 0,145 3,600 0,278 0,178 1,226 0,019 900 0,479 0,147 3,450 0,290 0,190 1,292 0,020 1000 0,48 0,15 3,100 0,323 0,223 1,484 0,023 1100 0,481 0,153 2,800 0,357 0,257 1,681 0,026 1200 0,482 0,157 2,600 0,385 0,285 1,813 0,028 1300 0,484 0,163 2,250 0,444 0,344 2,113 0,033 1400 0,487 0,172 2,000 0,500 0,400 2,326 0,036 1500 0,49 0,182 1,680 0,595 0,495 2,721 0,042 1600 0,494 0,195 1,300 0,769 0,669 3,432 0,053 1700 0,499 0,21 0,820 1,220 1,120 5,331 0,082 1800 0,505 0,228 0,260 3,846 3,746 16,430 0,254 1900 0,512 0,248 0,140 7,143 7,043 28,399 0,439 2000 0,52 0,27 0,100 10,000 9,900 36,667 0,567 2100 0,528 0,295 0,075 13,333


Страница 1 из 3Следующая страница

Друкувати реферат
Замовити реферат
Товары
загрузка...
Наверх Зворотнiй зв'язок