Теми рефератів
> Авіація та космонавтика > Банківська справа > Безпека життєдіяльності > Біографії > Біологія > Біологія і хімія > Біржова справа > Ботаніка та сільське гос-во > Бухгалтерський облік і аудит > Військова кафедра > Географія > Геодезія > Геологія > Держава та право > Журналістика > Видавнича справа та поліграфія > Іноземна мова > Інформатика > Інформатика, програмування > Історія > Історія техніки > Комунікації і зв'язок > Краєзнавство та етнографія > Короткий зміст творів > Кулінарія > Культура та мистецтво > Культурологія > Зарубіжна література > Російська мова > Маркетинг > Математика > Медицина, здоров'я > Медичні науки > Міжнародні відносини > Менеджмент > Москвоведение > Музика > Податки, оподаткування > Наука і техніка > Решта реферати > Педагогіка > Політологія > Право > Право, юриспруденція > Промисловість, виробництво > Психологія > Педагогіка > Радіоелектроніка > Реклама > Релігія і міфологія > Сексологія > Соціологія > Будівництво > Митна система > Технологія > Транспорт > Фізика > Фізкультура і спорт > Філософія > Фінансові науки > Хімія > Екологія > Економіка > Економіко-математичне моделювання > Етика > Юриспруденція > Мовознавство > Мовознавство, філологія > Контакти
Реклама
Українські реферати та твори » Радиоэлектроника » Електроніка

Реферат Електроніка

п/пприлади

п / п-Матеріал , Питомапровідністьякого сильнозалежить відзовнішніх факторів-Кол-ва домішок,температури,зовнішнього ел.поле,випромінювання,світло, деформація

Переваги: ​​вис. надійність,великий термінслужби, економічність,дешевизна.

Недоліки :залежністьвід температури,чутливістьдо іонізованавипромінюванню.

Основизонної теоріїпровідності

Згідноквантовоїтеорії будовиречовини енергіяелектронаможе прийматитільки дискретнізначення енергії.Він рухаєтьсястрого по визнаорбіті навколоядра.

Не в збудженомустані приТ = 0К, електронирухаються поближаишей доядру орбіті.У твердому тіліатоми ближчеодин до одного пѓћ електроннехмара перекривається пѓћ зсувенергетичнихрівнів пѓћ утворюютьсяцілі зонирівнів.


Е


Дозволена

Забороненазона


d

1) Дозволеназона кт приТ = 0К заповненаелектронаминаз - заповненої.

2) верхнязаповненазона наз -валентної.

3) дозволеназона при Т = 0Кде немає електронівназ - вільної.

4) вільназона де можутьзнаходитисяобуреніелектрони наззоною еквівалентності.

Провідністьзалежить відширини забороненоїзони міжвалентноїзоною і зоноюпровідності.

пѓЄ Е = Епр-Ев

Шириназабороненоїзони в межах0,1 ~ 3,0 еВ (електронвольт) характернадля п/п



Найбільшепоширеннямають П/П

Кремній,Германій, Селента ін

Розглянемокристал В«GeВ»

ПриТ = 0К


При Т> 0Келектрони(Заряд-Q) відриваютьсяутворюють вільнізаряди пѓћ на його місціутворюєтьсядірка (заряд+ Q) це називаєтьсяпроцесомтермогенерации

Зворотнийпроцес наз- Рекомбінацією

загрузка...
n -електроннапровідність

p - дірковапровідність

пЃґ - часжиття носіязаряду (е).

Висновок :таким чиномnроводімостьв чистому П/Побгрунтованавільнимиелектронамиабо дірками.

де: пЃІ -концентрація

пЃ­-рухливість= пЃµ /Е

Власнапровідністьсильно залежитьвід t п‚°

П/Пприлади наоснові власноїпровідності.

Залежністьвласноїпровідностівід зовнішніхфакторів широковикорис-ся вцілому рядікорисних П/Пприладів.

1) Терморезистори(R залежитьвід t п‚° )

Температурнийкоефіцієнт:

ТКС> 0 у П/П

ТКС <0у провідників



Застосовуютьв пристрояхавт-ки в якостівимірювальногоперетворювачаt п‚° (Датчики)

2) Варістори(R залежить відзовнішнього ел.Поля)


ВАХI = f (u)


Прим-ютьдля захисту

терристоравід

перенапруги


3) фотосопротівленіе- R залежитьвід світловогопотоку

застосовуютьв сигналізації,фотоаппаратурі

4) Тензорезистори- R залежитьвід механичдеформацій

застосовуютьдля вимірюваннядеформаційрізнихконструкцій(Датчики тиску- Сильфони)


Домішковапровідністьп/п.

Це провідністьобусловленнадомішками:

-впровадження

-заміщення

Рольдомішок можутьграти порушеннякрісталічеськаярешітки.

-Якщо впровадити вкристал Geелемент Iгрупи сурмуSb, тодіодин з 5 валентнихелектронівSb виявитьсявільним,тоді утворюєтьсяел. провідність,а домішканазиваєтьсядонорной.

-Якщо впровадити елементIII групиіндій I тоді1 ковалентнийзв'язок залишитьсязалишитьсявільної =>

Утворюєтьсялегко переміщуванадірка (дірковапровідність),домішка називаютьакцепторної.

Основнимносіємзаряду наз. Тікт в п/п>

П/п з дірковоюпровідністюназ. п/п-pтипу, а з електороннойпровідністю- N типу.

Рухиносіївзаряду тобто струмобумовлюється2 причинами: 1) зовнішнє поле- Струм зв. дрейфовий. 2) разнастьконцентрацій- Струм зв. дифузійним.

У п/п мається4 складовіструму:

Д-дифузійнийЕ-дрейфовий


Електричніпереходи.

Називаютьграничний шарміж 2-ми областямитіла фізичнісв-ва кт. різні.

Розрізняють:p-n, p-p + ,n-n + ,м-н/п, q-м,q-п/п переходиприм. У п/п приладах(М-метал прим.в термопарах)

Електронно-дірковийp-n перехід.

Роботавсіх діодів,біполярнихтранзисторівзаснована наp-n переході

Розглянемошар 2 х Geз різнимитипами провідності.


р

n


Зазвичайпереходивиготовляютьнесемметрічниміp p >>< n

Якщо p p >>n n то p-областьемітерного,n-область-база

У першиймомент післяз'єднаннякристалівчерез градієнтаконцентраціївиникаєдифузійнийток соновномносіїв.

На кордоніосновних носіївпочнуть рекомбінувати,тим самим оголюватисянерухомііони домішок.

Граничнийшар. Будезбіднюючиносіямизаряду => виникневнутрішнєU. Це U будеперешкоджатидиффузионномутоку і він будепадати. З іншогобоку наявністьвнутрішньогополя обумовитьпояваДрейф струмунеосновнихносіїв. ВВрешті-рештдифузійнийток стане =дрейфовийтоку і сумарнийструм через перехідбуде = 0

U

пЃЄ т ≈ 25мBтемпературнийпотенціал при300 К

U до = 0,6-0,7 ВSi; 0,3-0,4 В Ge.

Розрізняють3 режими роботиp-n переходу:

1) Рівноважний(Зовнішнє полевідсутня)



2) Прямосмещенногоp-n перехід.



В результатіU вн падає=> Виникаєдиф. ток електорнніI = I 0 e U/m пЃЄ т

m≈ 1 Ge

2 SiI 0 тепловоїток.

I обумовленийосновниминосіямизарядів. Крімнього струм неосновнихносіївбуде направленийзустрічно .:I =

3) Зворотнозміщений p-nперехід I-обумовленийструмами неосновнихносіївI = - I 0



ВАХ p-nпереходу



Ємностіp-nпереходів.

Розрізняють:-Бар'єрну,-Дифузійну.

Бар'єрнамає місцепри зворотномузміщенні p-nпереходу.Замикаючийшар виступаєяк діелектрик=> Конденсаторe = f (U) Ця ємністьвикористанав варикапах.





C≈ 1/√ U


Дифузійнийток має місцепри прямомузміщенні p-nпереходуВАХ p-nпереходів.

Відрізняютьсявід ідеальнихслід. чином: 1) Температурназалежність

t1> t210 В° C


I 0 =>Si = 2,5

Ge = 2



2)Обмеженняструму за рахуноквнутрішньогоR бази

I



3) Пробійp-n переходу:1-Лавинний, 2 -тунельний,3 - тепловий (1,2 -оборотні; 3-незворотний) I 0 ≈ 10 I 0



П/пдіоди.

Приладз 1 м p-n переходомі 2 мя виходами

кваліфікуютьсяза технологією,- По конструкції,- За функціональнимпризначенням:

-випрямні,А + К

-ВЧдіоди,

стабілітрони,

-варикапи,

-светодіди,

-фотодіоди,

-тунельна,

-звернений

Маркуванняза довідником

1) випрямити.діоди - призначенідля випрямлення~ I в =

Основніпараметри

Iср.пр-середнійпрямий, Uпр, Uобр., P-потужність,Iпр.імп.

2) Вч діоди виконуютьсязазвичай по точковоїтехнології

CД-ємність,Iпр.імп,Uпр.ср,t встановлення,t востановления,

3) ДіодШотки - діодна основі переходуметал -> п/п,швидкодіючий.Uпр. = 0,5 В, ВАХ НЕвідрізняєтьсявід експонентив діапазоніструмів до 10 10

4) Стабілітрон - Це параметричнийстабілізаторнапруги,стабілізуєнапругавід одиниці досотень вольт.Uст- Зворотнагілка ВАХ; пробійлавинний

ВАХ


r = О”U/О”I

ніж <тим краще




Д814Д => U = 12В R бал. = (E-Uст.)/(Iст. + Iн.)

Кст...

загрузка...

Страница 1 из 4 | Следующая страница

Друкувати реферат
Реклама
Реклама
загрузка...