>УПИ –УГТУ
Кафедрарадиоприемние устрою.
Контрольна робота № 1
з дисципліни: “Элементная база радіоелектронної апаратури “.
Варіант № 17
>Шифр:
>Ф.И.О
>Заочний факультет
>Радиотехника
Курс: 3
Роботу не висилати.
>УПИ –УГТУ
Кафедрарадиоприемние устрою.
Контрольна робота № 1
з дисципліни: “Элементная база радіоелектронної апаратури “.
Варіант № 17
>Шифр:
>Ф.И.О
>Заочний факультет
>Радиотехника
Курс: 3
Роботу не висилати.
Анотація.
Метою роботи є підставою активізація самостійної навчальної роботи, розвиток умінь виконувати інформаційний пошук, користуватися довідкової літературою, визначати параметри і характеристики, еквівалентні схеми напівпровідникових приладів.
>Диод2Д510А
Коротка словесна характеристика діода.
Диод кремнієвийепитаксиально- планарний.
Випускаються в скляному корпусі з гнучкими висновками.Диоди маркуються кольоровим кодом: однієї широкої та однієї вузької смугами зеленого кольору із боку виведення катода.
Маса діода трохи більше 0,15 р.
>Паспортние параметри.
Електричні параметри:
Постійне пряме напруга при не Iін= 200мА більш:
при 298 і 398 До …………………………………………………………….. 1,1 У
при 213 До …………………………………………………………………… 1,5 У
Постійний зворотний струм при Uін= 50 У, трохи більше:
при 298 і 213 До ……………………………………………………………. 5мкА
при 398 До …………………………………………………………………… 150мкА
Заряд перемикання при Iін= 50мА, U>обр,и= 10 У, трохи більше ………………. 400пКл
Загальнаемкость діода при U>обр= 0 У, трохи більше ………………………………… 4пФ
Час зворотного відновлення при Iін= 50мА, U>обр,и= 10 У,
I>отсч= 2мА трохи більше ……………………………………………………………… 4 нс
Граничні експлуатаційні дані:
Постійне,импульсное зворотне напруга (будь-який форми і
періодичності) ……………………………………………………………………… 50 У
>Импульсное зворотне напруга при тривалості імпульсу (лише на рівні 50 У)
трохи більше 2 мкс іскважности щонайменше 10 ………………………………………… 70 У
Постійний чи середній прямий струм:
за нормальної температури від 213 до 323 До ………………………………………… 200мА
при 393 До ………………………………………………………………….. 100мА
>Импульсной прямий струм при >і 10 мкс (без перевищення середнього прямого струму):
за нормальної температури від 213 до 323 До ………………………………………… 1500мА
при 393 До ………………………………………………………………….. 500мА
Температура переходу ……………………………………………………………… 423 До
Температура довкілля ………………………………………………….Від 213 до
393 До
Сімействовольтамперних характеристик:
Iін,>мА
200
160
120
80
40
0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0
Uін,У
>Расчети та графіки залежностей:
опір постійному току R= і перемінному току (малий сигнал) >r~ від прямого й протилежного напруги для кімнатної температури 298 До.
Залежність струму від прямого напруги:
Iін,>мА
200
I8
180
160
140
120
100
80
60
40
20
I1
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
U1
0,8
0,9
1,0
1,1
U8
Uін,У
I1 = 10мА, U1 = 0,63 У, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10мА = 63Ом
I2 = 20мА, U2 = 0,73 У, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20мА = 36,5Ом
I3 = 40мА, U3 = 0,81 У, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40мА = 20,3Ом
I4 = 60мА, U4 = 0,86 У, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60мА = 14,3Ом
I5 = 80мА, U5 = 0,90 У, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80мА = 11,3Ом
I6 = 120мА, U6 = 0,97 У, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120мА = 8,03Ом
I7 = 160мА, U7 = 1,03 У, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160мА = 6,4Ом
I8 = 200мА, U8 = 1,10 У, R8 = U8 / I8 = 1,10 / 200мА = 5,5Ом
>I1 = 10мА,U1 = 0,10 У,r1 =U1 /I1 = 0,10 / 10мА = 10Ом
>I2 = 20мА,U2 = 0,08 У,r2 =U2 /I2 = 0,08 / 20мА = 4Ом
>I3 = 20мА,U3 = 0,05 У,r3 =U3 /I3 = 0,05 / 20мА = 2,5Ом
>I4 = 20мА,U4 = 0,04 У,r4 =U4 /I4 = 0,04 / 20мА = 2Ом
>I5 = 40мА,U5 = 0,07 У,r5 =U5 /I5 = 0,07 / 40мА = 1,7Ом
>I6 = 40мА,U6 = 0,06 У,r6 =U6 /I6 = 0,06 / 40мА = 1,5Ом
>I7 = 40мА,U7 = 0,07 У,r7 =U7 /I7 = 0,07 / 40мА = 1,7Ом
Залежність опору постійному току R= від прямого напруги Uін:
R=,>Ом
70
R1
60
50
40
30
20
10
R8
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
U1
0,8
0,9
1,0
1,1
U8
Uін,У
Залежність опору перемінному току >r~ від прямого напруги Uін:
>r~,>Ом
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
U1
0,8
0,9
1,0
1,1
U7
Uін,У
Залежність струму I>обр протилежного напруги U>обр:
I>обр,кмА
5,0
I7
4,5
4,0
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
I1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
U1
45
50
U7
Uпро,У
I1 = 0,25мкА, U1 = 37 У, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25мкА = 148МОм
I2 = 0,50мкА, U2 = 40 У, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50мкА = 80МОм
I3 = 1,00мкА, U3 = 42 У, R3 = U3 / I3 = 42 / 1,00мкА = 42МОм
I4 = 2,00мкА, U4 = 44 У, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00мкА = 22МОм
I5 = 3,00мкА, U5 = 46 У, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00мкА = 15,3МОм
I6 = 4,00мкА, U6 = 48 У, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00мкА = 12МОм
I7 = 5,00мкА, U7 = 50 У, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00мкА = 10МОм
>I1 = 0,25мкА,U1 = 3 У,r1 =U1 /I1 = 3 / 0,25мкА = 12МОм
>I2 = 0,50мкА,U2 = 2 У,r2 =U2 /I2 = 2 / 0,50мкА = 4МОм
>I3 = 1,00мкА,U3 = 2 У,r3 =U3 /I3 = 2 / 1,00мкА = 2МОм
>I4 = 1,00мкА,U4 = 2 У,r4 =U4 /I4 = 2 / 1,00мкА = 2МОм
>I5 = 1,00мкА,U5 = 2 У,r5 =U5 /I5 = 2 / 1,00мкА = 2МОм
>I6 = 1,00мкА,U6 = 2 У,r6 =U6 /I6 = 2 / 1,00мкА = 2МОм
Залежність опору постійному току R= протилежного напруги U>обр:
R=, >МОм
160
140
120
100
80
60
40
20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
U1
45
50
U7
Uпро,У
Залежність опору перемінному току >r~ протилежного напруги U>обр:
>r~, >МОм
12
10
8
6
4
2
0
5
10
15
20
25
30
35
40
U1
45
50
U7
Uпро,У
Графік залежностіемкость З>обр протилежного напруги:
Збуд,
>пФ
4
3
2
1
0
20
40
60
80
U>обрУ
Визначення величин температурних коефіцієнтів.
Определим графічно з сімействавольтамперних характеристик величини температурних коефіцієнтів>ТКUін і ТКI>обр.
Iін,>мА
200
160
120
80
40
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
U1
1,4
1,6
U2
Uін,У
I = 200мА, U1= 1,5 B, U2= 1,1 B, T1= 298 K, T2= 213 K
I>обр,кмА
150
I2
125
100
75
50
25
I1
0
10
20
30
40
50
U
60
U>обрУ
U = 50 B, I1= 5мкА, I2= 150мкА, Т1= 298 До, Т2= 398 До
Визначення опору бази.
Величина опору бази >rб оцінюється по нахилу прямий галузіВАХ на великих токах (>Т=298К):
Iін,>мА
500
I2
400
300
200
I1
100
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
Uін,У
Тепловий потенціал:
Повольтамперной характеристиці визначаємо:
U1 = 1,1 У, U2 = 1,2 У,
I1 = 200мА, I2 = 500мА
>Малосигнальная високочастотна схема діода
і величини її елементів.
Малосигнальная високочастотна схема діода при зворотному зміщення:
>Величини елементів схеми при U>обр = 5 У :
>Библиографический список.
“Електронні прилади: підручник для вузів”Дулин В.М.,Аваев Н.А., Дьомін В.П. під ред. ШишкінаГ.Г. ;Энергоатомиздат, 1989 р..
>Батушев В.А. “ Електронні прилади: підручник для вузів”; М.:Висш.шк.,1980г.
Довідник “ Напівпровідникові прилади: діоди,тиристори,оптоелектронние прилади”; М.:Энергоатомиздат, 1987 р..
“ Дослідження характеристик і параметрів напівпровідникових приладів” методичні вказівки до лабораторної роботу з курсу “ Електронні прилади”; Свердловськ,1989г..
